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quarta-feira, 16 de setembro de 2015

O Pentágono implantou "chips de memória" nos cérebros de 24 voluntários


A estimulação elétrica de certas áreas do cérebro aumenta a capacidade da memória humana, de acordo com resultados do mais recente estudo da Agência de Projetos de Pesquisa Avançada de Defesa do Pentágono (Darpa), durante o qual cerca de 24 voluntários foram submetidos a operações cerebrais.

A implementação de matrizes de eletrodos no cérebro mostrou a capacidade de aumentar a capacidade da memória humana, que iria desenvolver no futuro próximo a perda de memória causada por traumatismo craniano, disse em um comunicado  o chefe do programa Restoring Active Memory (RAM, por sua sigla em Inglês) de DARPA, Justin Sánchez.

Os sujeitos do estudo têm problemas neurológicos não relacionados à perda de memória, mas se ofereceram para testar a nova tecnologia e intervenção neurotechnology e passaram por uma cirurgia cerebral.

Pequenas matrizes de eletrodos foram colocados nas regiões do cérebro envolvidas na formação da memória declarativa (usado para lembrar objetos, fatos ou eventos específicos) e também nas regiões envolvidas na memória espacial e navegação. Estes dispositivos são utilizados para estimular o processo de transmissão de sinais neurais.

"Os resultados iniciais indicaram que é possível capturar e interpretar os sinais chave ou 'código neural" que vem do cérebro humano durante a codificação de memória e recuperação e melhorar a memória, proporcionando estimulação elétrica específica do cérebro ", explicou Sánchez .

O objetivo dos cientistas é criar um dispositivo sem fios neuronal que poderia ser facilmente implantados no cérebro para decifrar os impulsos nervosos e facilitar o processo de desempenho ou recuperar estes sinais por meio de uma estimulação neural. O  trauma na cabeça  tornou-se um problema sério nos EUA. Mais de 270.000 soldados norte-americanos foram diagnosticados com esta afetação do cérebro, desde o início deste século, enquanto o número de civis que sofrem é de 1,7 milhões.
RT

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